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碳系填料:
碳納米管(CNT):添加0.5–3 wt%即可形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),體積電阻可降至102–10? Ω·cm,且對(duì)透明度影響較小。
石墨烯:1–2 wt%添加量,兼顧導(dǎo)電性和機(jī)械強(qiáng)度,但分散難度大(需超聲或高剪切混煉)。
炭黑(CB):需高添加量(10–20 wt%),電阻可達(dá)103–10? Ω·cm,但會(huì)***降低韌性和透明度。
金屬填料:
銀粉/銀纖維:添加5–10 wt%實(shí)現(xiàn)高導(dǎo)電性(10?1–102 Ω·cm),但成本高,適合電磁屏蔽應(yīng)用。
鎳粉:抗氧化性好,適合中低導(dǎo)電需求(102–10? Ω·cm)。
復(fù)合填料:
CNT+炭黑或 石墨烯+金屬粉,協(xié)同降低滲濾閾值。
鋰鹽(LiTFSI):添加1–5 wt%,通過(guò)離子遷移導(dǎo)電,但可能吸濕影響穩(wěn)定性。
離子液體:如BMI-BF?,與ETFE相容性需優(yōu)化。
噴涂PEDOT:PSS:透明導(dǎo)電涂層,表面電阻可調(diào)至103–10? Ω/sq。
真空鍍金屬(Al/Ag):納米級(jí)金屬膜,電阻極低(<10 Ω/sq),但柔韌性差。
去除雜質(zhì):避免金屬離子、水分等導(dǎo)電介質(zhì)殘留(如采用高純度單體聚合)。
加工干燥:120℃/4h烘干,消除水分導(dǎo)致的漏電流。
二氧化硅(SiO?):納米SiO?(1–3 wt%)可阻斷電荷遷移路徑。
氮化硼(BN):高導(dǎo)熱絕緣體,提升耐高溫絕緣性。
輻射交聯(lián):電子束輻照形成三維網(wǎng)絡(luò),抑制載流子移動(dòng),體積電阻>101? Ω·cm。
不知道
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